10차 5개년(2001∼2005년) 계획 하에 진행중인 개발 프로젝트가 중국의 전자 산업을 후원하면서 세계 전자산업에서 중국의 위상을 지속적으로 강화시키고 있다. VLSI(초대규모 집적회로), 초전도체, 고성능 CPU 칩, 고기능 평면 패널 디스플레이(FPD), 리튬-이온 배터리, 칩 전기 부속 등의 디자인을 포함, 지난해부터 중앙 정부에 의해 주도되는 여러 가지 주요 프로젝트들이 관련 업체들에 의해 성공적으로 완성되어 대량 생산에 돌입하였다.

10차 5개년 계획은 2005년까지 세계 OEM 활동의 1/3이 중국에서 수행되도록 하는 것을 목표로 한다. 중앙 정부는 국내 기술개발에 중점을 둔 프로젝트들을 계획하고 있다. 총 150억 위안(약 18억 달러)이 연구&개발 활동을 지원하기 위해 할당되었다. 지난해 3세대 모바일 통신 시스템에 대한 연구&개발은 TD-SCDMA를 표준으로 성공을 거두었다. 고성능 CPU 칩의 디자인에서도 괄목할 만한 성장을 이루어 "Godson" 시리즈와 "Ark 3" CPU를 만들어냈다. 산학 협동을 통해, 집적 회로 기술의 중심은 0.13μm에서 0.1Aμm로 이동하고 있다.

국내 메이커들은 7μm 두께의 300개층으로 BME MLCC를 개발할 수 있었고, 1GH이상의 파장을 작동하며 1nH에서 100nH까지의 유도계수를 갖는 마이크로파 칩 유도자가 또한 출시되었다.

FPD에서도 발전을 이루었다. 14인치 총천연색, 400cd/m²밝기, 명암비율 5000:1, 265 그레이 스케일의 PDP의 생산이 가능해졌다. 중국이 시험제작한 총천연색 OLED(유기EL) 디스플레이 스크린은 1.28인치 패널에 26만 컬러, 화소 크기 0.12-3-0.36mm이다. 4.82인치 패널에 64 그레이 스케일의 최대 크기의 단색 수동 OLED 디스플레이도 출시되었다. 반면 전기 자동차(EV) 혼성 전기 자동차(HEV)의 개발에 맞추어 연료 전지, 고전력 배터리, 초응축기와 같은 주요 부품에 대한 연구 개발은 2001년에 시작되어 현재 진행중이다.   

고성능 리튬-이온 배터리를 생산하기 위해서 중국 업체들은 165mAh/g 가용력의  LiCoxNiyMn1-x-yO2 전극 재료를 개발하고 있다. 이 새로운 재료는 LiCoO²의 1/3 가격이라고 알려져 있다.

중국 공급업체들은 또한 NdFeB 자석의 제조 및 표면 코팅 기술 등 자석 산업에서 장족의 발전을 보이고 있다. 중국의 NdFeB 산업은 세계 최고의 연간 성장률을 기록하고 있으며 생산 또한 세계 수준에 이르는 것으로 보고되고 있다. 중앙 정부의 프로그램 863하에 N51 모델이 시험 생산에 들어갔으며 PrFe12-xVx 자석 50톤을 생산하는 생산라인이 설립되었다.  

출처: Globalsources.com